2014年浙江大学836材料科学基础考研真题回忆版

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2014年浙江大学836材料科学基础考研真题回忆版

一、选择题（1.5*20）
1、α-Si-H薄膜的结构是
2、声子的本质是
3、晶格振动中，振动方向与位移方向平行和垂直的分别是
4、高分子晶体的结构
5、Tg的含义
绞尽脑汁，只能想起来5题。。。基本上都是历年真题当中的选择题了，属于送分项。
二、计算题（24*5）（一题24分）
1、根据分子式判断堇青石和电石的结构，然后比较两种结构的异同点。
2、简单立方格子，在一个[110]方向的外力作用下，缺陷增殖服从弗兰克瑞得模型，一个缺陷从滑移面滑倒晶体外需要0.1s，此外力作用1小时，产生的变形量。
3、ABO3钙钛矿结构，A位置为Pb，宽容系数0.8<t<1，计算B位置固溶时，所能填入的原子的尺寸范围。计算由上问固溶的尺寸计算所引起的畸变度。判断畸变度是否符合15%规律，并说明结构稳定存在的原因。
4、（第三章书后习题原题）向CeO2中掺入15mol%的CaO，写出两种可能的缺陷反应方程式，并且写出分子式。最终的固溶体实际密度为ρ，分别计算两种固溶后的密度，判断哪一种结构正确。
5、画出γ-Fe的结构和它的八面体位置。C在γ-Fe中的八面体间隙中扩散，计算扩散系数表达式。并计算950℃时的扩散系数。